为什么原来说 7 nm 是半导体工艺的极限，但现在又被突破了？

10年前我们觉得65nm工艺是极限，因为到了65nm节点二氧化硅绝缘层漏电已经不可容忍。所以工业界搞出了HKMG，用high-k介质取代了二氧化硅，传统的多晶硅-二氧化硅-单晶硅结构变成了金属-highK-单晶硅结构。
5年前我们觉得22nm工艺是极限，因为到了22nm沟道关断漏电已经不可容忍。所以工业界搞出了finfet和FD-SOI，前者用立体结构取代平面器件来加强栅极的控制能力，后者用氧化埋层来减小漏电。
现在我们觉得7nm工艺是极限，因为到了7nm节点即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电。所以工业界用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能。

当我们说工艺到了极限的时候，我们其实是在说在现有的结构、材料和设备下到了极限。然而每次遇到瓶颈的时候，工业界都会引入新的材料或结构来克服传统工艺的局限性。
当然这里面的代价也是惊人的，每一代工艺的复杂性和成本都在上升，现在还能够支持最先进工艺制造的厂商已经只剩下三家半了。

我还是写一下吧……

三家半指Intel、台积电、三星和GlobalFoundries。Global Foundries 10nm至少要落后两年，所以算半家。

AMD 在2009年拆分了制造部门，成立了Global Foundries。IBM 在2014年将整个半导体部门卖（应该说是送……）给了Global Foundries。所以现在AMD 和IBM 都没有制造部门了。

Global Foundries宣布搁置7nm研发，把它这半家也划掉吧……